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FET,MOSFET - 单个

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NVMFS024N06CT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • T6 60V SG HIGHER RDS-ON P
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Ta),25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
22 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
5.7nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
333pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.4W(Ta),28W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线
商品其它信息
优势价格,NVMFS024N06CT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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