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FET，MOSFET - 射频
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PD20010-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
LDMOS
频率
2GHz
增益
11dB
电压 - 测试
13.6V
额定电流（安培）
5A
噪声系数
-
电流 - 测试
150mA
功率 - 输出
10W
电压 - 额定
40V
封装/外壳
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
供应商器件封装
PowerSO-10RF（成形引线）
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
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