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FET,MOSFET - 射频
MRF8S26120HSR3参考图片

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MRF8S26120HSR3

  • NXP USA Inc.
  • 新批次
  • FET RF 65V 2.69GHZ NI780S
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
LDMOS
频率
2.69GHz
增益
15.6dB
电压 - 测试
28V
额定电流(安培)
-
噪声系数
-
电流 - 测试
900mA
功率 - 输出
28W
电压 - 额定
65V
封装/外壳
NI-780S
供应商器件封装
NI-780S
商品其它信息
优势价格,MRF8S26120HSR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 射频
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