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UGBT、MOSFET - 单
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RGT8NS65DGC9

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
8A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
12A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值
65W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
13.5nC
25°C 时 Td（开/关）值
17ns/69ns
测试条件
400V，4A，50欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
40ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装
TO-262
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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