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UGBT、MOSFET - 单
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FGPF4533

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
330V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
330V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
200A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.8V @ 15V，50A
功率 - 最大值
28.4W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
44nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
反向恢复时间（trr）
-
工作温度
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220F
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FGH40N65UFDTU
ON Semiconductor
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暂无价格
参考库存:4986
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400V 30A IGNITION IGBT
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暂无价格
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Rohm Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 58A 194W TO-247N
暂无价格
参考库存:26968

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