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硅电容器

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935152783522-T3N

  • Murata Electronics
  • 新批次
  • ULTRA BROADBAND LOW PROFILE SILI
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
UBSC
零件状态
有源
电容
22nF
容差
±15%
电压 - 击穿
30V
ESR(等效串联电阻)
300 mOhms
ESL(等效串联电感)
100pH
应用
高稳定性
特性
高可靠性,小尺寸
工作温度
-55°C ~ 150°C
封装/外壳
0201(0603 公制)
高度
0.017"(0.44mm)
大小/尺寸
0.031" 长 x 0.024" 宽(0.80mm x 0.60mm)
商品其它信息
优势价格,935152783522-T3N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
硅电容器
CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0603
暂无价格
参考库存:37474
硅电容器
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硅电容器
CAP SILICON 8.2PF 5% 25V 0402
暂无价格
参考库存:37498
硅电容器
CAP SILICON 27PF 5% 10V 0402
暂无价格
参考库存:37514
硅电容器
CAP SILICON 10PF 20% SMD
暂无价格
参考库存:17212
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